欢迎来到亿配芯城! | 免费注册
你的位置:PULSE(普思电子)变压器IC元器件一站式采购平台 > 话题标签 > 三星

三星 相关话题

TOPIC

标题:三星CL05B103KB5NNNC贴片陶瓷电容的应用与技术方案 随着电子技术的不断发展,陶瓷电容在各类电子产品中发挥着越来越重要的作用。三星CL05B103KB5NNNC贴片陶瓷电容,作为一种常用的电子元器件,具有广泛的应用领域和优异的性能特点。本文将围绕其技术与应用方案进行详细介绍。 一、技术特点 三星CL05B103KB5NNNC贴片陶瓷电容是一款具有高稳定性的小容量贴片陶瓷电容。它采用先进的陶瓷材料和高精度工艺制造,具有高绝缘性、耐高温、耐潮湿等优点。电容容量为10000PF,工作
标题:三星CL10B104KO8NNNC贴片陶瓷电容CAP CER应用介绍 一、背景概述 三星CL10B104KO8NNNC是一款应用于各种电子设备中的贴片陶瓷电容,规格为0.1UF,工作电压为16V,介质为X7R。X7R材料具有高温度性能和高介电强度,使其在高温高湿环境下仍能保持良好的性能。这种电容广泛应用于各种领域,如通信、汽车电子、工业控制等。 二、技术特点 三星CL10B104KO8NNNC贴片陶瓷电容具有以下技术特点: 1. 采用先进的陶瓷材料和高频绝缘技术,具有低损耗、高稳定性和高
标题:三星CL10B105KP8NNNC贴片陶瓷电容CAP CER 1UF 10V X7R 0603的技术与应用介绍 随着电子技术的快速发展,陶瓷电容在各类电子产品中扮演着重要的角色。三星CL10B105KP8NNNC是一款性能优良的贴片陶瓷电容,具有多种技术特点和应用方案。 首先,三星CL10B105KP8NNNC采用了先进的陶瓷材料和制造工艺,具有高介电常数、低漏电流、耐高温等优点。其电容量可达1UF,耐压值高达10V,保证了其在各种复杂环境下的稳定性和可靠性。X7R材料作为介质,则提供了
标题:三星CL05B104KO5NNNC贴片陶瓷电容CAP CER 0.1UF 16V X7R 0402的技术与应用介绍 随着电子技术的不断发展,陶瓷电容在各类电子产品中的应用越来越广泛。三星CL05B104KO5NNNC贴片陶瓷电容作为一种重要的电子元件,具有许多独特的优势和应用场景。本文将围绕该电容的技术和方案应用进行介绍。 一、技术特点 三星CL05B104KO5NNNC贴片陶瓷电容是一种采用陶瓷材质制成的电容器,具有高介电常数和高绝缘电阻的特点。其内部采用多层陶瓷结构,通过电极引出端和
标题:三星CL10A475KP8NNNC贴片陶瓷电容CAP CER 4.7UF 10V X5R 0603的技术与应用介绍 随着电子技术的不断发展,贴片陶瓷电容在各类电子产品中得到了广泛应用。三星CL10A475KP8NNNC是一款具有代表性的贴片陶瓷电容,其规格参数为4.7UF 10V X5R 0603。本文将围绕这款电容的技术和方案应用进行介绍。 一、技术特点 三星CL10A475KP8NNNC贴片陶瓷电容采用了陶瓷作为介质材料,具有体积小、容量大、耐高温、耐腐蚀、电性能稳定等优点。其工作原
标题:三星CL05A104KA5NNNC贴片陶瓷电容CAP CER应用介绍 一、技术概述 三星CL05A104KA5NNNC是一款贴片陶瓷电容,采用陶瓷作为介质,外覆金属氧化物作为电介质,具有高介电常数和高稳定性。其容量为0.1微法拉(UF),工作电压为25伏特(V),类型为X5R。这些参数使其在电路中起到滤波、储能等关键作用。 二、方案应用 1. 在电源电路中,三星CL05A104KA5NNNC陶瓷电容可以有效地吸收和过滤电压波动,提高电源的稳定性和可靠性。 2. 在射频电路中,陶瓷电容可以
标题:三星CL03A104KQ3NNNC贴片陶瓷电容CAP CER应用介绍 随着电子技术的快速发展,贴片陶瓷电容CAP CER在各类电子产品中得到了广泛应用。其中,三星CL03A104KQ3NNNC是一款具有代表性的产品,其规格参数为0.1UF、6.3V、X5R,尺寸为0201。本文将围绕这款电容的技术和方案应用进行介绍。 一、技术特点 三星CL03A104KQ3NNNC贴片陶瓷电容CAP CER采用了先进的陶瓷材料和高精度烧结技术,具有高绝缘、低漏电流、耐高温、温度范围广等特点。同时,其内部
标题:三星CL05B104KP5NNNC贴片陶瓷电容CAP CER 0.1UF 10V X7R 0402的技术与应用介绍 随着电子技术的不断发展,陶瓷电容在各类电子产品中发挥着越来越重要的作用。三星CL05B104KP5NNNC是一款常用的贴片陶瓷电容,具有多种优良的技术和方案应用。 首先,三星CL05B104KP5NNNC采用了先进的陶瓷材料和精密制造工艺,具有高介电常数、低电导率、耐高温等特性。这种电容的容量为0.1微法,适用于各种电路中需要精确和稳定电容量的地方。同时,其耐压值为10伏特
据韩国媒体报道,消费性电子市场逐渐复苏,10 月DRAM 合约价格出现两年多来首次反弹。存储器价格反弹后,三星与SK 海力士故继续涨价。 韩国经济日报引用消息人士说法,智能手机低功耗存储器(LPDDR) 和电脑DDR等高性能DRAM 市场逐渐成长,加上数字设备制造商DRAM 库存减少,使DRAM 价格开始上涨。研究及调查机构商TrendForce存储器部门DRAMeXchange 数据,个人电脑DRAM DDR4 8Gb 2133MHz 合约价10 月较9 月上涨15.4%,到1.5 美元,是
在最近的IEDM上,三星电子、美光科技和台积电公布了DRAM和存储器技术的最新突破。三星电子开发了适用于10纳米以下技术节点的垂直通道DRAM单元晶体管技术,美光科技则展示了32Gbit大容量非易失性RAM原型,而台积电则开发了一种嵌入式存储器,其中STT-MRAM单元配置有一个选择器和一个磁隧道结(MTJ)。 三星电子表示,已开发出适用于10纳米以下技术节点的垂直通道DRAM单元晶体管技术。这项技术使用氧化物半导体IGZO作为沟道材料,用于DRAM单元的垂直沟道晶体管单片集成在核心电路晶体管